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IRGPF50F中文资料

IRGPF50F图片

IRGPF50F外观图

  • 大小：110.12KB
  • 厂家：
  • 描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
  • 现有数量：0现货
  • 价格：停产
  • 系列：-
  • 包装：袋
  • 产品状态：停产
  • IGBT 类型：-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：900 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：51 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)：-
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，28A
  • 功率 - 最大值：200 W
  • 开关能量：-
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：-
  • 25°C 时 Td（开/关）值：-
  • 测试条件：-
  • 反向恢复时间 (trr)：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商器件封装：TO-247AC

IRGPF50F供应商

更新时间:2023-01-17 23:24:15
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